Hace poco más de un mes Samsung nos enseñaba sus nuevos módulos de memoria RAM LPDDR3 en 20nm de hasta 2GB compuestos por 4 chips de 4Gb (512MB). Hoy es SK Hynix quien supera esa barrera, con sus nuevos chips de 8Gb (1GB) que pueden conformar módulos de hasta 4GB de RAM en tecnología de 20 nm.
El fabricante coreano en cuestión clama que sus nuevos módulos de memoria funcionarán con velocidades de transmisión de 2.133Mbps, superando a los actuales LPDDR3 que se quedan en 1.600Mbps, lo cual se traducirá en mejoras de cara a la reproducción de contenido en altas definiciones y cargas más veloces de procesos.
Por supuesto, estos nuevos chips en 20 nanómetros reducirán en un 10% el consumo energético respecto a los LPDDR2, además de doblar su velocidad. HK Hynix dice que para la segunda mitad de este mismo año se verán dispositivos cargados con memorias superiores a los 2GB, aunque ellos no empezarán a fabricarlas en masa hasta finales de año.
A mediados del año que viene se espera que los nuevos diseños Cortex-A12 den soporte, al menos teóricamente, a memorias RAM de hasta 1TB en la gama media (aunque no esperéis que esto ocurra). ¿Se os quedan ya cortos los 2GB en vuestros teléfonos y tablets?
Más información | SK Hynix Vía | Engadget En Xataka Android | ARM presenta sus Cortex-A12 para la gama media en 2014
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