Cuando hablamos de móviles y de su velocidad, solemos hacer referencia a los gigahercios del procesador, la cantidad de memoria RAM y su tecnología. Sin embargo, y si bien estos componentes juegan un papel fundamental en la velocidad del dispositivo, hay otro aspecto importante que se debe tener en cuenta, y es la velocidad de almacenamiento.
Solemos quedarnos en la cifra, en si un móvil tiene 64 o 128 GB, aunque estas ya parecen quedarse cortas habiendo móviles con hasta 1 TB de almacenamiento interno. Sin embargo, de nada sirve tener mucha memoria si esta es lenta. Al igual que los procesadores y la memoria RAM, la velocidad de los chips de memoria también ha evolucionado y mejorado a lo largo de los años, y no poco, precisamente.
Un par de conceptos clave
Lo primero que debemos entender es que la velocidad del dispositivo depende, en gran medida, de la velocidad de la memoria. La memoria del móvil es el centro de todo, puesto que el móvil trabaja con datos y todos y cada uno de los datos se almacenan en la memoria. Cuando haces algo, véase abrir una app, el procesador saca los archivos de esta de la memoria y los carga en la memoria RAM, por lo que todos los archivos de intercambio pasan por la memoria del teléfono.
¿En qué se traduce eso? En que una velocidad de memoria más rápida repercute en una mayor velocidad general del sistema. Tendemos a pensar que la velocidad del terminal depende de la memoria RAM, pero en realidad, antes de que la RAM entre en funcionamiento, está la memoria interna. Si tienes una RAM muy potente pero un almacenamiento interno pobre, el rendimiento del dispositivo no será óptimo y se producirá lo que se suele conocer como "cuello de botella".
Por otro lado, cuando hablamos de memoria y velocidad hablamos de estándares. En el caso de móviles, hablamos de eMMC (las antiguas) y UFS (las más nuevas). Las velocidades son medias, es decir, que el rendimiento final depende, en última instancia, del fabricante de la memoria y de la optimización que este haga del dispositivo.
15 veces más velocidad que hace ocho años
Empezamos con el estándar eMMC 4.5, anunciado en junio de 2011 y que vimos, por ejemplo en el Samsung Galaxy SII. La velocidad de lectura de este tipo de memorias NAND era de 140 MB/s, mientras que la escritura se quedaba en unos 50 MB/s. No fue hasta octubre de 2013 cuando vimos una renovación con el estándar eMMC 5.0, cuyas velocidades ascendieron a 250 MB/s y 90 MB/s, respectivamente, es decir, casi el doble que la generación anterior. Por aquellos entonces hablábamos de "velocidades de vértigo". Cuánto ha llovido...
Dos años más tarde, el 18 de febrero de 2015, comenzó la producción de memorias eMMC 5.1, que eran bastante parecidas a las eMMC 4.5 pero mejoraba la velocidad de escritura y la aumentaban hasta los 125 MB/s. Será la última generación de memorias eMMC, ya que enero de ese mismo año empezamos a ver las memorias eUFS 2.0 de Samsung. De hecho, la primera vez que las vimos implementadas fue en el MWC 2015.
Estas nuevas memorias de 128 GB como máximo alcanzaban velocidades de 350 MB/s de escritura y 150 MB/s de lectura, aunque estas cifras quedaron muy por debajo de su sucesor, las memorias de 256 GB eUFS 2.0 lanzadas en febrero de 2016. Ahí la cosa empezó a ponerse seria, puesto que los terminales pudieron acceder a 850 MB/s de lectura (más del doble de la generación anterior) y 260 MB/s de escritura.
Las memorias UFS 2.1 de 512 GB que llegaron en noviembre de 2017 no supusieron una evolución demasiado radical con respecto a las anteriores. De hecho, hubo una sutil bajada en la velocidad de escritura (255 MB/s frente a los 260 MB/s de antes). La velocidad de lectura sí aumento ligeramente (hasta los 860 MB/s), aunque tampoco fue una locura. La diferencia más evidente estaba en la capacidad, que se multiplica por dos y pasaba de 256 GB a 512 GB.
Y llegamos así al presente año, 2019. En enero, Samsung anunció las memorias eUFS 2.1 de hasta 1 TB de capacidad. Su velocidad de lectura media alcanzó los 1.000 MB/s, algo necesario viendo cómo ha aumentado la potencia de los procesadores y de la memoria RAM, mientras que la velocidad de escritura se quedó en 260 MB/s, la misma que el estándar eUFS 2.0.
El verdadero cambio llegó en febrero, cuando la firma coreana anunció las memorias eUFS 3.0 que vienen incorporadas en su nuevo Galaxy Fold. La velocidad de lectura ha superado la barrera de los 2.000 MB/s y alcanzando la media de 2.100 MB/s, más de doble que las lanzadas hace solo un mes. La de escritura, por su parte, se multiplica por 1,58 y se queda en 410 MB/s.
Así pues, en menos de una década hemos pasado de memorias eMMC 4.5 con 140 MB/s de lectura y 50 MB/s de escritura a memorias eUFS 3.0 con 2.100 MB/s de lectura y 410 MB/s de escritura. Eso se traduce en móviles más rápidos, más capaces, más potentes y, teóricamente, con una mayor vida útil.
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